تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : رسالة جامعية 
عنوان الوثيقة :
تكوين مكثفات MOS نانوية من أغشية أكسيد النحاس الموجبة القطبية المصنعة بطريقة المحلول السائل
Fabrication of Nanoscale MOS Capacitors Using Solution-Processed P-Type Cu2O Thin Films
 
الموضوع : كلية العلوم 
لغة الوثيقة : العربية 
المستخلص : أكسيد النحاس الأحادي مادة واعدة في العديد من التطبيقات نتيجة لطبيعته القطبية الموجبة، الشفافية، عدم السمية، الوفرة وانخفاض تكلفة التصنيع. علاوة على ذلك، فإن إمكانية تحضير مثل هذا الأكسيد بطريقة المحلول السائل عند درجة حرارة منخفضة يجعله مرشحاً مثالياً لتطوير الأجهزة الالكترونية الشفافة المرنة القابلة للطباعة. في هذه الدراسة، قمنا بتحضير أغشية أكسيد النحاس CuxO الرقيقة باستخدام ثلاث محاليل مختلفة عند درجة تسخين منخفضة (۲۰۰ درجة مئوية). ثم استخدمنا تلك الأغشية لتكوين مكثفات MOS (معدن- عازل- شبه موصل) الضرورية لتصميم ترانزستورات شفافة موجبة القطبية. تم تحضير أول محلول لمادة Cu2O بواسطة خلط خلات النحاس الثنائي مع كلاً من2-Methoxyethanol و Ethanolamine اللذان يعملان كمذيب ومثبت للمحلول، على التوالي. ثم أضيف الجلسرين إلى الخليط بمعدلات حجمية مختلفة كعامل مساعد لإنقاص درجة التسخين. ثانياً، باستخدام الكيمياء الخضراء، قمنا بتحضير محلول CuO بواسطة إذابة نترات النحاس الثنائي في ماء منزوع الأيونات وجلسرين. وأخيراً قمنا بمحاولة تكوين أغشية Cu2O بطريقة خضراء، بسيطة وغير مألوفة وذلك بواسطة خلط بودرة النحاس مع مستخلص أوراق السبانخ للمرة الأولى. وحيث أن استكمال بناء مكثفات MOS يحتاج إلى مادة عازلة ذات ثابت عزل جيد )، لذا فقد قمنا باختيار Y2O3 كعازل ذو ثابت عزل مرتفع نتيجة لخصائصه الكهربية الجيدة من جهة وإمكانيه إنتاجه بواسطة الكيمياء الخضراء من جهة أخرى. جميع الأغشية الرقيقة، أغشية شبه الموصل CuxO وأغشية العازل Y2O3 تم ترسيبها على ركائز سيليكون من نوع P+ لتشكيل عينات متنوعة من مكثفات MOS. تم بناء ست مكثفات MOS ثلاثة منهم باستخدام Y2O3 والبقية باستخدام SiO2. جميع مكثفات MOS أظهرت قطبية من النوع الموجب. السعة الكلية للـ MOSعند النطاق المسطح CMOS,FB)) أظهرت قيمة عالية 57,59نانوفاراد/سم2 عندما استخدمنا محلول خلات النحاس الثنائي مع SiO2 كعازل. بشكل عام مكثفات MOS مع عازل SiO2 أعطت قيم أعلى لتراكيز حوامل الشحنة الموجبة (Na) من تلك التي مع Y2O3. أقل قيمة للتيار المتسرب حوالي 24,6 × 10-4امبير/سم2 عندما يساوي الجهد -1فولت لوحظ في مكثف MOS مع Y2O3 و خلات النحاس الثنائي. بينما أصغر جهد تباطؤ حوالي 20ملي فولت لوحظ في مكثف MOS مع مستخلص أوراق السبانخ وSiO2. 
المشرف : د.هالة الجوهري 
نوع الرسالة : رسالة ماجستير 
سنة النشر : 1438 هـ
2017 م 
المشرف المشارك : د.نورة السناني 
تاريخ الاضافة على الموقع : Monday, August 7, 2017 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
صفية عبدالرحمن الشهريAl-Shehri, Safeyah Abdulrahmanباحثماجستير 

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 42502.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث